節能減碳已成為國際間最受關注的課題，相關的新興產業如電動車、HPC、充電樁等，都需要高轉換效率的新型半導體，如化合物半導體、氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等，其具備耐高溫、耐大電壓、低導通電阻等特性，可廣泛應用於高功率、高頻和高溫電力電子系統。

和傳統晶片比較，新型半導體元件具有更複雜的元件類型和參數，大電流和大電壓的特性下，可靠度的要求相較於過去的矽基半導體元件有更高的要求。透過Siemens EDA的Tanner L-edit不僅能克服元件多樣化、參數不連續及幾何形狀複雜的問題。同時可藉由Calibre及相關DRC驗證技術，確保準確的設計驗證，降低光罩錯誤成本，縮短產品上市時程。

• 日期：8/3 (三) 
• 時間：14:00 - 16:30
• 地點：南港IC設計育成中心, 台北市南港區園區街3-2號10樓（南港軟體園區H棟）
• 活動特色
  • 從技術與應用的角度分享設計挑戰與注意要點

  • 介紹並示範L-Edit平台針對半導體功率元件Layout所提出的高效設計流程

  • 講師現場Live Demo，並可現場申請試用授權；學員可提供實際案例，現場技術交流

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