5G、電動車、智慧物聯網等終端應用市場需求持續看漲，推升第三代半導體(GaN/SiC)功率元件及功率半導體(MOSFET/IGBT)等的技術及市場的成長。據 SEMI（國際半導體產業協會）功率暨第三代半導體晶圓廠展望報告，全球功率暨第三代半導體晶圓廠設備支出，2022 年預計成長至約 85 億美元，年複合成長率（2017~2022）高達 15%。合適的EDA工具就成了這些新技術的研發與設計導入過程中的重要助力。

本次線上研討會，將邀請Siemens EDA原廠技術專家，介紹如何使用Tanner L-Edit快速完成Layout 及使用Calibre驗證 Design Rule Check (DRC)，掌握技術關鍵搶佔市場先機！

• 活動單位：恩萊特科技股份有限公司 – Siemens EDA授權代理商
• 活動對象：
  • 半導體產業之研發設計、製造、封測、工程、產品、製程等專業人員
  • IOT物聯網、MEMS微機電、被動元件等相關應用之專業人員
• 活動日期：9/29 (三) 14:00
• 活動地點：線上研討會
• 講師資訊：Vincent Lai, Applications Engineer Consultant, Siemens EDA
• 議程資訊

  時間	議程
  13:55 – 14:00	報到
  14:00 – 14:50	功率元件(GaN/SiC/MOSFET/IGBT) 的Layout設計挑戰 Tanner L-Edit針對這些特殊性所提出的解決方案 Layout Cross-section產生&Review 如何使用Calibre處理複雜的圖形,完成DRC驗證
  14:50 – 15:00	Q & A