一遇到碳、氮、氧等輕元素，TEM/EDS成份分析就失真？

原來都是低能量X光吸收效應在搗蛋。了解並克服這一問題，對於提高元件可靠性和成份分析的準確性至關重要。本文將深入探討這一現象，一解TEM/EDS中輕元素分析失真之謎。

《專欄全文》：https://pse.is/240716TSIAweb

隨著半導體技術的不斷演進，奈米區域成份分析在新製程開發中的重要性日益凸顯。透過透射電子顯微鏡/能量分散光譜(TEM/EDS)技術，研究人員能夠深入鑑定奈米區域的成份訊息。然而，在進行TEM/EDS成份分析時，特別是涉及碳、氮、氧等輕元素時，低能量X光被吸收的效應仍然相當顯著，而且被吸收的量會隨著試片厚度的變化而改變。

非常恰巧的是，這些輕元素的化合物都是製造半導體元件常用的材料。因此，用TEM/EDS做半導體元件成份定量分析時，如果有碳、氮、氧等任何元素牽涉在內時，不準度將會提升，必須藉由某些特殊的校正技術，才能重新拉回準確度。校正的方法將在下一期的文章中討論，本文只先介紹輕元素的吸收效應，以便讀者對此有更全面的了解，進而為未來的半導體製程開發提供有力的技術支撐......