在半導體製程接近極限之際，材料分析成為突破瓶頸的關鍵，業界經常使用電子顯微鏡搭配X光能量散佈能譜儀（EDS）解析微奈米材料。

但EDS的能量解析度較低，容易造成能峰重疊和偽訊號兩大問題，該如何判讀EDS能譜，才能解析出正確的材料成分分析結果？

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隨著半導體製程已逼近物理極限，各國大廠不斷從材料著手想要突破研發瓶頸，材料分析對於改善半導體缺陷、提升製程良率是非常重要的關鍵。現今的工程師想要解析微奈米材料時，經常會使用電子顯微鏡加裝X光能量散佈能譜儀(X-ray Energy Dispersive Spectroscope，簡稱EDS) ，透過這項工具可同時鑑定微奈米區域的組成成份，進一步解析材料。

但由於EDS的能量解析度較低，在EDS能譜中經常會發生能峰重疊，或是試片因電子束散射後產生被稱為「迷走X光」的偽訊號，這兩大問題都是造成材料成分分析會產生誤差的因素。透過本文我們將帶讀者了解，如何聰明判讀EDS 能譜中銅訊號的真偽，辨別能峰重疊並分析出正確的成分分佈圖。

(本文來源於宜特科技)