TSIA台灣半導體協會

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【工業局補助】高功率高頻氮化鎵半導體技術短期主題研習

時間 : 08/10 (四) 09:30-16:40

本課程將從寬能隙材料的種類介紹，逐步深入介紹氮化鎵半導體元件的工作原理外延生長技術、元件製程，在課程內將引入國內外GaN HEMT在高頻與功率上的關鍵技術及其應用來輔助課程，了解寬能隙半導體相關知識以及近年來產業的發展。