寬能隙半導體大躍進！面對具有特殊結構且高功率密度的氮化鎵晶片，如何突破故障分析的盲點讓缺陷現形？

點我看全文&影片: https://pse.is/231205TSIAweb

寬能隙半導體(Wide Band Gap semiconductors)如氮化鎵(Gallium Nitride，簡稱GaN)與碳化矽(Silicon Carbide，簡稱SiC)，是近年熱門的化合物半導體材料，又稱為第三類半導體。

相對於以往第一類(矽)與第二類(GaAs, InP)半導體，第三類半導體因具有寬能隙、低漏電、耐高電壓及高溫等特性，且其能源轉換效率更好，因此普遍被應用於功率元件。而氮化鎵元件可支援更高的開關切換頻率，並提供極佳的功率密度，在相同電氣性能下，可有效縮減整體系統的尺寸，通常被應用於中功率、中壓(50V至900V)產品。至於SiC元件則適用於高功率、高壓(1,000V以上)的相關應用。

以氮化鎵電晶體為例，目前已廣泛應用於手機和筆電等消費性電子產品的快速充電市場上，同時，資料中心(Data center)需求的快速成長，也成為氮化鎵電晶體的另一個重要應用領域。再加上，未來隨著各國陸續禁售燃油車，車載充電器(On Board Charger，簡稱OBC)和電動車DC-DC轉換器等應用，也將成為氮化鎵電晶體大放異彩的舞台。這一趨勢表明，氮化鎵電晶體不但將成為眾多汽車製造商爭相角逐的焦點領域，亦正逐步展現出廣泛的市場潛力。

本期宜特小學堂，我們將先介紹常用的功率電晶體兩大結構，再進一步分享如何透過宜特的獨家手法，定位出氮化鎵電晶體晶片異常點，有效提高物性故障分析時找到缺陷的機率，讓你擺脫找不出異常點的困擾，加速產品的驗證與良率的有效提升。