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【宜特小學堂】名針探精準定位 讓奈米電性量測找出缺陷

當奈米級先進製程的元件發生故障,要找出微小尺度下的缺陷,該透過何種電性量測精準定位?

詳全文請見:https://pse.is/221122TSIAweb


各國大廠近年致力挑戰3奈米、2奈米微縮角力戰,製程技術是一場永無止境的競爭。當研發遇上瓶頸時,無論是IC設計、晶圓製造、測試、封裝等,都需要故障分析輔助來釐清問題所在。

而先進製程中的故障分析,對於研發與產能來說更是至關重大,但元件尺寸越做越小,如何在僅有數奈米的微小尺度下,進行電晶體的特性量測以及缺陷處定位則成為了一大難題。

而奈米探針電性量測(Nano-Probing)對上述問題有極大幫助,奈米探針系統是由奈米探針與掃描式電子顯微鏡 (SEM)兩者結合而生的工具,SEM的奈米級高解析度搭配尺寸極小的奈米探針,使製程中數奈米等級的電晶體特性量測,或是精確定位出一個電晶體,甚至是一個接觸點(Contact)的定位分析,都能夠被實現。本期宜特小學堂將與您分享「如何利用奈米探針系統,定位缺陷位置的應用方式」。