「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法部分條文修正草案」本會意見
2005-09-28
台灣半導體產業協會 新聞稿  94.09.28

「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法部分條文修正草案」本會意見


經濟部日前正進行兩年一次「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法」之檢討,其中DRAM部份,擬將獎勵範圍修訂為”DRAM(設計以製程0.13微米以下技術)”。台灣半導體產業協會在匯集會員廠商意見後,強烈建議將獎勵範圍維持在0.18微米門檻。

現今DRAM產品設計,配合製程技術之演進,有兩種走向,一為大容量高密度標準型DRAM,如DDR/DDR II,製程採用0.13 um,0.11 um,0.09 um等,而利基型(特殊應用)DRAM,如LP SDRAM等,並不追求大容量、高密度,其製程仍採用0.18 um以下技術。不論是DDR/DDR II或是LP SDRAM,在設計上都有其深度與難度,均屬高科技產品。

不同於DRAM製造業,DRAM IC設計業(Fabless)屬專業IC設計公司,並非以製程技術之開發為主,而是以先進 IC 電路設計技術為其主要競爭核心;其供應市場系以特定型應用(Specialty DRAM)為主,必須以其設計技術提供各特定客戶(應用)規格之所需。由於其製程條件並非自我掌控,更需要以設計技術彌補可能取得製程條件差異之影響;雖目前標準型DRAM之製程已微縮至0.11um;惟特定型應用之DRAM製程微縮至一極限後,反而受到封裝條件的限制(Bonding Pad無法跟著微縮)而無法適用。因此,就DRAM IC設計技術而言,維持在0.18um門檻應屬合理。因此台灣半導體產業協會希望爭取將獎勵範圍訂在DRAM(設計以製程0.18微米以下技術),以維護相關廠商之權益。

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