【New Non-Volatile Memory Workshop 2012】
2012-10-16
New Non-Volatile Memory Workshop 2012
前 言:
隨著可攜式產品的蓬勃發展及功能需求的提升,使得當前全球記憶體市場需求急速擴張,其中又以非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)的快速成長最受關注。為了因應此一產業變化,全球各大廠與研究機構對於下世代記憶體技術開發均早已如火如荼般地展開。2005年起每年由工業技術研究院電子與光電研究所主辦的New Non-Volatile Memory Workshop邀請國內外在下世代記憶體領域的專家針對其中關鍵性的問題及新開發出的重要技術進行研討報告。
本年度研討會為舉辦第八屆探討此領域之專門會議,將邀請國內外12位包含學界與業界的學者及專家,針對於System/Application、FeRAM/PCM、RRAM、MRAM等下世代非揮發性記憶體開發中所面臨的關鍵性問題以及最新的技術研發成果進行研討,並對於加速產業界於相關技術之開發提供最有效之交流平台。另今年將首次於會後安排Panel Discussion,邀請專家與會並討論記憶體技術之發展。
時 間:2012年11月15 - 16日
會議地點:工研院 51 館4樓國際會議廳(新竹縣竹東鎮中興路四段195號)
主辦單位:工研院
參加對象:半導體產業相關廠商、記憶體製造商與模組系統廠、對奈米電子或先進半導體技術有興趣之人士
贊助單位:華邦電子股份有限公司、旺宏電子股份有限公司
講 師:
(1) Dr. Gurtej Sandhu, Micron
(2) Prof. Ken Takeuchi, Chu University
(3) Dr. Seung H. Kang, Qualcomm
(4) Dr. K. R. Udayakumar, TI
(5) Dr. Paolo Fantini, Micron
(6) Dr. Geoffery W. Burr, IBM
(7) Prof. Hyunsang Hwang, POSTECH
(8) Mr. Christophe Chevallier, Rambus
(9) Dr. Akihito Sawa, AIST
(10) Dr. Hitoshi Kubota, AIST
(11) Prof. Tetsuo Endoh, Tohoku University
(12) Dr. Michael Gaidis, IBM
Non-Volatile Memory Workshop 2012
Program
報 名:
(一)網路報名:網址 http://college.itri.org.tw/SeminarView1.aspx?no=51120017&msgno=309967
(二)電話、E-mail或傳真報名:請填妥報名表E-mail或傳真至報名處。
◎ 報名確認:將於會前由主辦單位E-Mail或傳真報名完成確認通知,並於現場發給發票。報名後不克參加者請務必於會議前告知,未告知者視同參加,恕不退費。
◎ 付款方式
即期支票:抬頭:工業技術研究院
電匯銀行:戶名:財團法人工業技術研究院
土地銀行工研院分行,帳號:156005000025
(電匯方式請務必先傳真收執聯)
計畫代號扣款:工研院員工報名課程,請填「參加訓練申請單」,並經主管同意後由計畫代號扣款。
郵寄地址:新竹縣竹東鎮中興路四段195號11館390室 高紫晏 小姐 收
◎ 報 名 處:工研院電光所 高紫晏 小姐
(TEL:03-5917219;E-mail:silviakao@itri.org.tw ;FAX:03-5917690)
備 註:採取一般國際會議方式,以英文簡報與討論
費 用:Registration Fee
含稅、講義、午餐及茶點Additional Banquet Ticket
含稅
一般人士 NT$ 5,000 NT$ 1,500
(11/15 6:00PM新竹老爺大酒店)
工研院同仁 NT$ 3,000
在學學生(憑學生證) NT$ 2,500
※因座位有限,請儘早報名,額滿後將不再接受報名

報名窗口:高紫晏 小姐
TEL:03-5917219;E-Mail:silviakao@itri.org.tw ;Fax:03-5917690