SEMI預估 2011年半導體設備支出成長31%
SEMI公布最新全球晶圓廠資料庫 (SEMI World Fab Database)，預估2011年半導體晶圓廠設備支出及產能將分別成長31%與9%，但2011年和2012年的建廠支出則下調。2011年將是晶圓廠設備支出創新紀錄的一年。2011年2月以來，許多公司增加資本支出，因此，2011年的晶圓廠相關設備支出可望達到440億美元的史上最高金額。儘管2012年支出可能會略微下滑6%至410億美元，但這仍然位居史上第二高額的紀錄。」然而，受到產業產能計畫的潛在影響，2012年後的新建晶圓廠的數量將達到歷史新低。 2011.06.10

南亞科非PC應用之DRAM年底達5成比重
由於以PC為主的標準型DRAM市況不佳，DRAM廠紛紛轉型力拚非PC市場，南亞科2011年除了力拚製程提升外，2011年底非PC DRAM比重可望提前達到50%的目標。因平板電腦、智慧型手機熱賣，將增加行動記憶體的需求，另雲端運算市場持續擴大，對高階伺服器用模組需求將不斷提升，南亞科的營運策略轉為積極發展高附加價值以及特殊型產品。南亞科2011年5月營收中，伺服器用DRAM與利基型(特殊型)DRAM合計比重已經達40%，預估到2011年底就可以達到50%，有利於改善獲利結構。南亞科目前主攻應用在數位消費性電子產品領域，例如機上盒、數位電視、網路通訊等產品，估計擁有30%的全球市佔率。2011.06.14

台半導體業節水環保成效佳
台灣半導體業推動節能環保成效卓著，根據台灣半導體產業協會(TSIA)表示，TSIA全體會員近10年來節水與減廢績效居全球6個半導體協會之冠。TSIA指出，台灣有台積電、聯電、世界先進、力晶、南亞科、茂德、瑞晶、鉅晶、華邦電、華亞科及漢磊等11家半導體製造廠加入世界半導體協會 (WSC)的環保承諾。在經過全體成員的共同努力下，2010年底台灣半導體產業全氟化物 (PFC)溫室氣體總絕對值排放量，已下降至1997年與1999年平均排放量的90% 以下，順利達成目標。台灣半導體廠晶圓單位產出的能源使用量比10年前減少44%，比WSC平均使用量少6%；晶圓單位產出的水使用量也比10年前減少51%，比WSC平均使用量少38%。台灣晶圓廠晶圓單位產出的廢棄物比10年前減少22%，也比 WSC平均廢棄物產生量少31%；其中，節水與減廢績效居全球 6個半導體協會之冠。WSC目前正積極擬訂下個10年的環保目標，其中關於節能減碳的項目，預計2012年2月在TSIA主辦的WSC幕僚 (JSTC)會議上敲定，持續為維護地球環境努力。2011.06.08

台積電 加入EIDEC聯盟
台積電及日本IDM廠客戶瑞薩電子決定加入由日本半導體業聯合出資成立的EUVL基盤開發中心(EIDEC)，與英特爾、三星、信越化學、旭硝子等國際級半導體廠合作，共同投入次世代極紫外光(EUV)微影技術研發。由於日本IDM廠已經陸續宣佈，28奈米以下先進製程將與晶圓代工廠合作，台積電此舉將可爭取到更多日本IDM廠委外訂單。台積電目前量產中的40奈米及28奈米，均採用雙重曝影(double patterning)的浸潤式(immersion)微影技術，現在研發中的20奈米也將持續採用雙重曝影浸潤式微影技術生產，但英特爾日前在美國舉行的設計自動化會議(DAC)中，透露將於2013年下半年，開始以EUV微影技術試產14奈米製程，所以台積電未來微影技術也可望朝向EUV方向發展。台積電加入EIDEC研發中心後，可望與瑞薩、富士通、索尼、東芝等日本IDM廠有更深入的技術合作，未來不僅可望取得日本IDM廠的28奈米及20奈米代工訂單，在接下來的14奈米及10奈米世代，若能順利導入EUV微影技術，台積電也將成為日本IDM廠的重要晶圓代工合作夥伴。2011.06.14

IBM宣佈以碳化矽晶圓片製作出石墨烯混頻器IC
IBM 研究中心(IBM Research)發表首款以晶圓尺寸石墨烯(graphene)所製成的 IC，並展示這款混頻器(mixer)可在10GHz頻率下運作的性能。該款類比IC是由整合在碳化矽(silicon carbide，SiC)晶圓片上的石墨烯電晶體與一對電感所組成，鎖定無線通訊應用。寬頻混頻器的作用是產出具備輸入訊號混合(和差)頻率的輸出訊號，是很多電子通訊系統的基礎零件；根據IBM研究中心人員表示，該款石墨烯元件可達到10GHz的混頻性能，熱穩定性則可達到攝氏125度。2011.06.14